Nici n-a început bine criza globală de cipuri de memorie, că deja observăm niște mișcări din partea celor mai mari producători din lume. Samsung și SK Hynix au confirmat că vor participa în primăvară la conferința IEEE ISSCC 2026, acolo unde-și vor prezenta noile cipuri de memorie GDDR7, LPDDR6 și HBM4. Toate aceste standarde noi de memorie vor oferi lățime de bandă mărită semnificativ pentru a spori performanța în gaming și aplicații AI.
Memoria, ori lipsa ei, a fost citată drept motiv principal pentru amânarea seriei de plăci video NVIDIA GeForce RTX 50 SUPER. Asta a venit cu diverse ramificații, mai ales că producătorul a făcut o cerere încă de prin septembrie către Samsung, rugându-i pe aceștia să crească capacitatea de producție pentru memorie GDDR7. Iar acum răspunsurile par că vin din două direcții, cu SK Hynix care se alătură acestei povești cu module de memorie GDDR7 de 24GB la 48Gbps viteză. Asta înseamnă că vedem o configurație de opt module a câte 3GB bucata – fix ce se zvonește că va avea o presupusă RTX 5080 SUPER la bord.
Cei care-și amintesc plăcile video Radeon R9 Fury probabil recunosc denumirea de HBM (High Bandwidth Memory), iar în cadrul evenimentului din primăvara anului viitor acest tip de memorie revine cu cea de-a patra revizie. Samsung va prezenta noile cipuri HBM4 de 36GB care oferă lățime de bandă de 3.3TB/sec per canal. Nu știu dacă vom mai vedea prea curând plăci video mainstream dotate cu acest tip de memorie, însă centrele de date și plăcile dedicate sarcinilor AI cu siguranță se vor bucura de boost-ul ce-l vor primi odată cu upgrade-ul la astfel de memorie.
Alt tip de memorie foarte popular este LPDDR6, iar aici ambii producători au de arătat niște inovații. SK Hynix vine cu cipuri LPDDR6 de 16GB cu 14.4Gbps lățime de bandă, în timp ce Samsung se laudă cu niște cipuri de 16GB dar cu bandwidth de numai 12.8Gbps. Noile module le vom vedea integrate în cele mai tari smartphone-uri și laptop-uri ultraportabile ale lui 2026 și ne promit eficiență mai mare, consum de energie redus și flexibilitate extinsă.