Samsung a transformat evenimentul Future of Memory and Storage 2026 din Santa Clara într-o demonstrație de forță , aducând în prim-plan soluții proiectate direct pentru cerințele masive ale centrelor de date AI și pentru arhitecturile de calcul de ultimă generație.
Marea vedetă la capitolul stocare este noua memorie flash BV-NAND V10 (Bonded V-NAND). La 13 ani de la lansarea primei sale tehnologii V-NAND, gigantul sud-coreean devine primul producător care sparge bariera celor 400 de straturi. Utilizând o metodă avansată de lipire a plăcilor pentru a suprapune celulele, Samsung a crescut densitatea de stocare cu 58% comparativ cu generația V9, obținând în același timp viteze I/O superioare și o eficiență energetică îmbunătățită.
Schimbările mari vin însă pe zona arhitecturilor pentru acceleratoare AI. Spre deosebire de standardele HBM clasice montate lângă procesor pe aceeași placă, noua arhitectură zHBM este suprapusă vertical direct peste cip. Prin reducerea drastică a distanței parcurse de date, Samsung promite o performanță de până la opt ori mai mare față de viitorul standard HBM5, o densitate de stocare de 10 ori mai mare și un consum de energie redus de trei ori.
Tot pentru procesarea rapidă a datelor, sud-coreenii au prezentat zNAND-O, o memorie NAND cu latențe extrem de scăzute destinată dispozitivelor Edge AI, care va fi lansată în variante cu patru și opt straturi. În paralel, a fost prezentat modulul LPDDR5X-PIM, prima memorie de acest tip din industrie dotată cu tehnologie Processing-In-Memory, capabilă să execute operații de calcul direct în cip înainte de a mai trimite datele către procesor. Toate aceste anunțuri arată clar direcția în care merge industria: dincolo de simpla mărire a capacității de stocare, bătălia se dă acum pe eliminarea blocajelor de transmisie și reducerea latențelor dintre memorie și procesor.
