Huawei se pregătește să atingă un nou prag tehnologic în ciuda restricțiilor impuse de SUA: compania intenționează să finalizeze designul pentru primul său cip de 3nm până în 2026, colaborând cu producătorul chinez SMIC. Deoarece China nu are acces la echipamentele de litografie EUV (extreme ultraviolet) produse de ASML, Huawei și SMIC utilizează tehnologia mai veche, DUV (deep ultraviolet). Această metodă implică mai multe etape de imprimare pentru a atinge precizia necesară la scară nanometrică, ceea ce crește costurile și reduce randamentul producției.
Pentru a crea cipuri mai avansate, Huawei ia în calcul tehnologii și materiale noi
Pentru a compensa aceste limitări, Huawei adoptă tranzistori Gate-All-Around (GAA), o tehnologie care înconjoară canalul tranzistorului pe toate laturile, reducând scurgerile de curent și îmbunătățind performanța energetică. Această arhitectură este utilizată la scară largă doar de Samsung în prezent. Huawei investighează și utilizarea materialelor bidimensionale și a nanotuburilor de carbon în locul siliciului tradițional. Aceste materiale ar putea oferi performanțe superioare și eficiență energetică crescută, deschizând calea către cipuri mai avansate în viitor.
Dacă Huawei reușește să producă cipuri de 3nm fără tehnologie EUV, acest lucru ar putea reduce dependența Chinei de furnizorii occidentali și ar putea accelera dezvoltarea industriei semiconductoarelor din țară. Totuși, provocările legate de costuri și randament rămân semnificative.
Momentan, Huawei ar produce cipuri pe 5nm în fabricile SMIC. Primul model ar fi Kirin X90, cel care ar urma să fie folosit pe laptop-urile MateBook Pro, care nu mai folosesc procesoare Intel sau AMD. Cipurile de pe smartphone-uri, precum cele din gama Kirin 9000, care se regăsesc pe seriile Pura și Mate, sunt în continuare realizate folosind litografie pe 7nm. Trecerea la 3nm ar putea oferi un aport major de performanță telefoanelor sale, ajungând din urmă modelele concurente, care folosesc deja 3nm de aproape doi ani.
