În acest moment cele mai noi şi puternice procesoare de pe telefoanele mobile flagship sunt realizate pe baza unui proces de 4 nanometri. Ei bine Samsung tocmai a început producţia procesoarelor de 3 nanometri la fabricile sale din Coreea de Sud.
Samsung nu trece prin cele mai bune momente, după ce a pierdut contractul cu Qualcomm, care după un Snapdragon 8 Gen 1 cu consum prea mare, a preferat să meargă pe mâna celor de la TSMC pentru Snapdragon 8+ Gen 1. Procesul lor de 4 nm ar fi superior. TSMC a dezvăluit de altfel recent când va lansa cipuri de 3 nm şi 2 nm, iar acum Samsung se mişcă rapid şi a anunţat producţia cipurilor de 3 nm la fabrica Hwaseong din Coreea de Sud.
Mai important de precizat e faptul că Samsung trece la o nouă arhitectură, înlocuind FinFET (fin field effect transitor) cu GAA (Gate All Around). GAA are avantaje asupra lui FinFET, precum eficienţa crescută a consumului, fix ce era problematic la ultimele cipuri Samsung. Sud coreenii mai folosesc o tehnologie nouă aici: producţie de tranzistori nanosheet în loc de nanowire. Prin nanosheet poate fi ajustată mai bine eficienţa de consum şi parametri de performanţă alterând mărimea fâşiei nanometrice.
Samsung oferă deja cifre, comparând cipurile de 3 nm cu cele mai vechi de 5 nm. Ele aduc un salt de performanţă de 23%, reducere de consum cu 45% şi o scădere a spaţiului ocupat cu 16%. Vorbim aici doar despre prima generaţie de cip, iar tehnologia va evolua pe parcursul lui 2023. A doua generaţie de 3 nm va aduce un salt de 50% în eficienţă şi 30% în performanţă, plus spaţiu cu 35% mai mic ocupat. Probabil că Exynos 2300 va fi un CPU de 3 nm şi Snapdragon 8 Gen 2 va face aceeaşi mutare..
Între timp TSMC a crescut preţul producţiei de cipuri, iar ochii se întorc din nou spre Samsung ca alternativă.
